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碳化硅性能與碳化硅生產(chǎn)工藝

文章出處:網(wǎng)責任編輯:金蒙新材料作者:人氣:-發(fā)表時間:2017-08-20 17:07:00【

 天然的碳化硅很少,工業(yè)上使用的為人工合成原料,俗稱金剛砂,是一種典型的共價鍵結合的化合物。碳化硅是耐火材料領域中最常用的非氧化物耐火原料之一。

1)碳化硅的性質:

碳化硅主要有兩種結晶形態(tài):b-SiC  a-SiCb-SiC 為面心立方閃鋅礦型結構,晶格常數(shù) a=0.4359nma-SiC  SiC 的高溫型結構,屬六方晶系,它存在著許多變體。

碳化硅的折射率非常高,在普通光線下為 2.6767~2.6480.各種晶型的碳化硅的密度接近,a-SiC 一般為3.217g/cm3,b-SiC  3.215g/cm3.純碳化硅是無色透明的,工業(yè) SiC 由于含有游離 Fe、Si、C 等雜質而成淺綠色或黑色。綠碳化硅黑碳化硅的硬度在常溫和高溫下基本相同。SiC 熱膨脹系數(shù)不大,在25~1400平均熱膨脹系數(shù)為 4.5×10-6/。碳化硅具有很高的熱導率,500時為 64.4W/ (m·K)。常溫下SiC 是一種半導體。

碳化硅具有耐高溫、耐磨、抗沖刷、耐腐蝕和質量輕的特點。碳化硅在高溫下的氧化是其損害的主要原因。

2)碳化硅的合成:

碳化硅的冶煉方法,合成碳化硅所用的原料主要是以 SiO2 為主要成分的脈石低檔次的碳化硅可用低灰分的無煙煤為原料。輔助原料為木屑和食鹽。

碳化硅有黑、綠兩種。冶煉綠碳化硅時要求硅質原料中 SiO2 含量盡可能高,雜質含量盡量低。生產(chǎn)黑碳化硅時,硅質原料中的 SiO2 可稍低些。對石油焦的要求是固定碳含量盡可能高,灰分含量小于 1.2%,揮發(fā)分小于 12.0%,石油焦的粒度通常在 2mm  1.5mm 以下。木屑用于調整爐料的透氣性能,通常的加入量為 3% ~5%(體積)。食鹽僅在冶煉綠碳化硅時使用。

硅質原料與石油焦在 2000~2500的電阻爐內通過以下反應生成碳化硅: SiO2+3C→SiC+2CO↑-526.09Kj

CO 通過爐料排出。加入食鹽可與 FeAl 等雜質生成氯化物而揮發(fā)掉。木屑使物料形成多孔燒結體,便于CO 氣體排出。

碳化硅形成的特點是不通過液相,其過程如下:約從 1700開始,硅質原料由砂粒變?yōu)槿垠w,進而變?yōu)檎羝ò谉煟?/span>SiO2 熔體和蒸汽鉆進碳質材料的氣孔,滲入碳的顆粒,發(fā)生生成 Sic 的反應;溫度升高至1700~1900時,生成 b-SiC;溫度進一步升高至 1900~2000時,細小的 b-SiC 轉變?yōu)?/span> a-SiC,a-SiC 晶粒逐漸長大和密實;爐溫再升至 2500左右,SiC 開始分解變?yōu)楣枵羝褪?span lang="EN-US">

 

大規(guī)模生產(chǎn)碳化硅所用的方法有艾奇遜法和ESK 法。

 

艾奇遜法:傳統(tǒng)的艾奇遜法電阻爐的外形像一個長方形的槽子,它是有耐火磚砌成的爐床。兩組電極穿過爐墻深入爐床之中,專用的石墨粉爐芯體配置在電極之間,提供一條導電通道,通電時下產(chǎn)生很大的熱量。爐芯體周圍裝盛有硅質原料、石油焦和木屑等組成的原料,外部為保溫料。

熔煉時,電阻爐通電,爐芯體溫度上升,達到 2600左右,通過爐芯體表面?zhèn)鳠峤o周圍的混合料,使之發(fā)生反應生成碳化硅,并逸出 CO 氣體。一氧化碳在爐表面燃燒生成二氧化碳,形成一個柔和、起伏的藍色至黃色火焰氈被,一小部分為燃燒的一氧化碳進入空氣。待反應完全并冷卻后,即可拆除爐墻,將爐料分層分級揀選,經(jīng)破碎后獲得所需粒度,通過水洗或酸堿洗、磁選等除去雜質,提高純度,再經(jīng)干燥、篩選即得成品。

艾奇遜法設備簡單、投資少,廣泛為石階上冶煉 SiC 的工廠所采用。但該法的主要缺點在于無法避免粉塵和廢氣造成的污染,冶煉過程排出的廢氣無法收集和再利用,無法減輕取料和分級時的繁重體力勞動,同時爐子的長度也不夠,通常僅幾米至幾十米長,生產(chǎn)經(jīng)濟性不高。

ESK  1973 年,德國 ESK 公司對艾奇遜法進行了改進,發(fā)展了 ESK 法。Esk 法的大型 SiC 冶煉爐建立在戶外,沒有端墻和側墻,直線性或 U 型電極位于爐子底部,爐長達 60m,用聚乙烯袋子進行密封以回收爐內逸出的氣體,提取硫后將其通過管道小型火電廠發(fā)電。該爐可采用成本低、活性高、易反應的高硫分石油焦或焦炭作為原料,將原料硫含量由原來的 1.5%提高到 5.0%

碳化硅粉末的合成方法法三種。

固相法是通過二氧化硅和碳發(fā)生碳熱還原反應或硅粉和炭黑細粉直接在惰性氣氛中發(fā)生反應而制得碳化硅細粉??梢酝ㄟ^機械法將艾奇遜法或 ESK 法冶煉的碳化硅加工成 SiC 細粉。目前該方法制得的細粉表面積1~15m2/g,氧化物含量 1.0% 左右,金屬雜質含量 1400~2800ppm1ppm=10-6)。其細度和成分取決于粉碎、酸洗等后續(xù)處理工藝和手段。碳化硅粉末也可以由豎爐或高溫回轉窯連續(xù)化生產(chǎn),可獲得高質量的 b-SiC 粉體。SiO2 細粉與碳粉混合料在豎爐的惰性氣氛中,在低于 2000的溫度下發(fā)生熱還原反應,合成 b-SiC 粉體。所獲得的 SiC 的粒度為合成碳化硅粉末的方法主要有固相法、液相法和氣相微米級。但往往含有非反應的 SiO2  C,需進行后續(xù)的酸洗和脫碳處理。利用高溫回轉窯也可生產(chǎn)出高質量的 SiC 細粉。

液相反應法可制備高純度、納米級的 SiC 微粉,而且產(chǎn)品均勻性好,是一種具有良好發(fā)展前景的方法。液相反應法制備 SiC 微粉主要分為溶膠-凝膠法和聚合物熱分解法等。溶膠-凝膠法制備 SiC 微粉的核心是通過溶膠-凝膠反應過程,形成 Si  C 在分子水平上均勻分布的混合物或聚合物固體,升溫過程中,首先形成 S iO2  C 的均勻混合物,然后在 1400~1600溫度下發(fā)生碳熱還原反應生成 SiC。聚合物熱分解法主要是指加熱聚硅烷等聚合物,放出小單體,形成 Si-C 骨架。由熱解法制備的 SiC 均為 b-SiC。如果熱解溫度低于 1100,則為無定形 SiC。氣相法是用含硅的原料和含碳的原料通過氣相反應生成 SiC。根據(jù)加熱方式的不同可分為電阻爐和火焰加熱法、等離子和電弧加熱法、激光加熱法等。