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大面積碳化硅陶瓷膜層化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)

文章出處:粉體圈網(wǎng)責任編輯:作者:小吉人氣:-發(fā)表時(shí)間:2022-08-23 16:25:00【

光刻機等集成電路關(guān)鍵制造裝備中某些高性能光學(xué)元件對材料制備有著(zhù)苛刻的要求,不僅要求材料具有高的穩定性,還需滿(mǎn)足某些特定的光學(xué)性能要求。反應燒結碳化硅經(jīng)拋光后其面型精度高,但是該材料是由碳化硅和游離硅組成的兩相材料,在研磨拋光等過(guò)程各相的去除速率不一致,無(wú)法達到更高的面型精度,因此無(wú)法滿(mǎn)足特定光學(xué)部件性能要求。

采用反應燒結碳化硅基體結合化學(xué)氣相沉積碳化硅(CVDSiC)膜層的方法制備高性能反射鏡,通過(guò)優(yōu)化先驅體種類(lèi)、沉積溫度、沉積壓力、反應氣體配比、氣體流場(chǎng)、溫度場(chǎng)等關(guān)鍵工藝參數,可實(shí)現大面積、均勻CVDSiC膜層的制備,使反射鏡鏡面精度可接近國外同類(lèi)產(chǎn)品性能指標。

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